电子行业存储芯片周度跟踪:渠道内存条和SSD价格维稳 三星量产1TB QLC第九代V-NAND

陈宇哲 2024-09-21 11:30:07
机构研报 2024-09-21 11:30:07 阅读

  核心观点

      NAND:NAND 颗粒市场价格小幅波动,三星量产1Tb QLC 第九代V-NAND。根据DRAMexchange,上周(0909-0913)NAND 颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.51%至5.00%,平均涨跌幅为1.44%。其中1 个料号价格持平,19 个料号价格上涨,2 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道,三星电子宣布其首款1Tb QLC 第九代V-NAND 正式开始量产,采用了多项突破性技术,存储密度提升约86%。SK 海力士宣布,开发出适用于数据中心的高性能固态硬盘(SSD,Solid State Drive)产品‘PEB110 E1.S’,2025 年Q2 量产。

      DRAM:颗粒价格小幅下跌,威刚对DRAM 市况维持乐观。根据DRAMexchange,上周(0909-0913)DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.75%至-0.15%,平均涨跌幅为-1.09%。上周0 个料号呈上涨趋势,18 个料号呈下降趋势,0 个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道,威刚发布最新财务数据,8 月营收环比基本持平,对DRAM 市况维持乐观。

      HBM:SK 海力士利川工厂M10F 转型HBM 生产线。根据CFM 闪存市场报道,SK 海力士在其利川半导体工厂“M10F”生产第五代高带宽存储器(HBM)。SK 海力士目前正在建设基础设施,以应对 HBM快速增长的需求。

      市场端:渠道内存条和SSD 价格维持不变。上周(0909-0913)eMMC 价格环比下跌1.04%,UFS 价格环比下跌1.07%。根据CFM 闪存市场报道,目前渠道低成本库存逐渐消耗,低价资源有限,渠道行情整体呈震荡筑底趋势,本周渠道内存条和SSD 价格维持不变。《黑神话:悟空》游戏火爆,但对于消费端实质性复苏仍缺乏长期有效动能,本周行业SSD 和内存条价格基本不变。此外,本周部分高容量eMMC/UFS 及LPDDR4X 价格小幅调降,嵌入式出货压力加剧,现货嵌入式价格小幅走低。

      投资建议

      我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

      HBM:受益于算力芯片提振HBM 需求,相关产业链有望迎来加速成长,建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等;存储芯片:受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升,产业链有望探底回升。推荐东芯股份,建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

      风险提示

      中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

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