电子行业：存储芯片周度跟踪：三星电子完成24GB GDDR7 DRAM开发 DRAM中HBM比重逐渐提升

　　核心观点

    　　NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，群联称NAND 模组需求持续上升。根据DRAMexchange，上周（1014-1018）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.17%至2.77%，平均涨跌幅为0.20%。其中12 个料号价格持平，6 个料号价格上涨，4 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道，群联表示，2024 年前三季整体NAND 位元数总出货量的年成长率达到30%，创历史同期新高，表明市场对于高容量的NAND 存储模组产品的需求趋势持续上升。

    　　DRAM： 颗粒价格小幅下跌， 三星电子宣布已完成首款24GbGDDR7 DRAM 的开发。根据DRAMexchange，上周（1014-1018）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.94%至-0.02%，平均涨跌幅为-1.04%。上周0 个料号呈上涨趋势，18 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。三星电子宣布已完成首款24Gb GDDR7 DRAM 的开发，将用于PC 和游戏机等现有图形DRAM 应用之外的各种领域，以及AI 工作站等需要高性能产品的领域和数据中心。

    　　HBM：DRAM 中HBM 比重逐渐提升。根据科创板日报报道，TrendForce 集邦咨询预估，第四季存储器均价涨幅将大幅缩减，其中，一般型DRAM 涨幅为0%至5%之间，但由于HBM 比重逐渐提高，DRAM 整体平均价格估计上涨8%至13%，较前一季涨幅明显收敛。

    　　市场端：渠道SSD 和内存条窄幅下跌，行业市场需求偏淡。上周（1014-1018）eMMC 价格环比下跌，UFS 价格环比持平。根据CFM闪存市场报道，伴随着双十一购物节与圣诞节相继来临，渠道市场存储需求逐渐回温，成交量上扬有撑，而渠道存储厂商为争抢订单仍在下调产品价格以达成交易，不过整体来看，渠道市场价格下跌空间较为有限，本周渠道SSD 和内存条多数价格窄幅下跌。行业市场总体需求偏淡，成交多为小单，大单则鲜少。

    　　投资建议

    　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

    　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

    　　风险提示

    　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

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