半导体行业周报：关注国产DRAM产业链机遇

　　市场回顾

    　　最近一周（10 月21 日-10 月25 日）半导体板块涨跌幅为1.41%，相对沪深300涨跌幅0.62pct。年初至今半导体板块涨跌幅为21.93%，相对沪深300 指数涨跌幅6.62pct。

    　　本周半导体行业子板块涨跌幅分别为半导体材料 4.9%、模拟芯片设计 3.7%、集成电路封测 0.9%、半导体设备 0.5%、电子化学品Ⅲ 0.4%、数字芯片设计 -1.3%。

    　　国产DRAM产业链蓄势待发

    　　HBM：国产厂商全面布局

    　　高带宽内存（HBM）拥有提供远高于传统内存的数据传输速率，成为解决内存墙问题的有效方案，当前HBM3E 产品已经投入市场销售，下一代HBM4 产品亦有望在2025 年进入市场。

    　　当前诸多国产厂商进行了HBM 产品布局。晶圆厂方面，据Trendforce 报道，长鑫存储和武汉新芯均投建了HBM 产能。今年2 月，武汉新芯披露招标公告，拟建设不少于3000 片/寸（12 英寸）的HBM 先进封装产能。长鑫亦于6 月通过子公司芯浦天英在上海市浦东新区金桥南区竞得土地，拟建设高端封测存储芯片产能3 万片/月。晶圆厂之外，还有诸多封测厂商进行了技术布局。长电科技布局了2.5D 封装和HBM 封装技术，通富微电于9 月披露了高带宽存储芯粒先进封装技术升级和产能提升项目。国产HBM 的发展有望带来全产业链的价值增量。

    　　传统存储：价格短期回落，利基市场格局出清

    　　据中国闪存市场数据，本轮DRAM 价格于23Q3 触底反弹，至24Q2 最高点价格涨幅超过30%，但进入24Q3 以来出现回落，截至10 月价格较前高降幅约19%。分类型来看，小容量DDR3 的降幅更大，其次是DDR5 和大容量DDR4，居中的DDR4 8Gb 价格相对稳定。拥有DDR3 产品线的存储厂商相对较多，行业竞争更为激烈，而DDR5 作为最高端代际经历了过去几个季度的扩产，供给大幅增长。

    　　伴随DRAM 技术迭代，海外龙头厂商停产DDR3，减产DDR4，利基型DRAM格局有望迎来优化，国产存储厂有望在DDR3/DDR4 市场获得更大成长空间。

    　　同时，国产龙头存储厂亦推出了LPDDR5 产品，在产品代际上加速追赶海外三大原厂，DRAM 国产化全面推进。

    　　投资建议：国产DRAM 产业链加速成长，先进存储方面，多家厂商在HBM领域全面布局；传统DRAM 方面，国产厂商加速产品代际迭代，利基DRAM 格局出清，带来全产业链的长期成长机遇。个股方面，建议关注：

    　　前道设备：北方华创、中微公司、拓荆科技、中科飞测等；封测设备：精智达、长川科技等；

    　　存储封测：长电科技、通富微电、深科技、太极实业等。

    　　风险提示：存储行业周期复苏不及预期；行业竞争加剧；研发进度不及预期。

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