存储芯片行业周度跟踪：三星电子计划生产400层堆叠NAND 渠道市场短暂止跌

核心观点

    NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，三星电子计划生产400 层堆叠NAND。根据DRAMexchange，上周（1028-1101）NAND 颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.67%至4.00%，平均涨跌幅为0.01%。其中10 个料号价格持平，2 个料号价格上涨，10 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道，三星电子最新存储芯片发展路线图显示，该司计划最早在2026 年生产至少400 层单元垂直堆叠的垂直NAND，以最大限度提高容量和性能。

    DRAM：颗粒价格小幅下跌，美光宣布推出 Crucial DDR5 Pro 超频(OC) 游戏内存。根据DRAMexchange，上周（1028-1101）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.63%至3.25%，平均涨跌幅为-0.79%。上周3 个料号呈上涨趋势，15 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，美光宣布推出 Crucial DDR5 Pro超频 (OC) 游戏内存，速度达 6,400 MT/s，可提供更流畅、更快速的游戏体验。DDR5 Pro OC 游戏内存解决方案以美光尖端的 DRAM 创新为基础，采用美光先进的 1β（1-beta）节点技术构建，可提高性能、质量和可靠性。

    HBM：SK 海力士称2025 年HBM 需求或超预期。根据CFM 闪存市场报道，SK 海力士DRAM 营销副总裁Kim Gyu-hyeon 在第三季度业绩说明会上表示，“随着AI 芯片的需求不断增加，以及客户扩大AI投资的意愿得到证实，2025 年HBM 的需求增长将超过目前的预期。”市场端：渠道市场迎来了短暂止跌。上周（1028-1101）eMMC 价格环比下跌，UFS 价格环比下跌。根据CFM 闪存市场报道，10 月以来，受益于季节性回温，渠道市场连续数周需求逐渐好转，本周渠道市场迎来了短暂止跌；而行业市场近期部分存储厂商迫于库存压力杀价较为激进，令行业SSD 多数价格下跌；嵌入式市场近期出现少量存储厂商欲回笼资金低价抢单，加之客户对后市预期看跌，本周嵌入式产品全面调降。

    投资建议

    我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

    HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

    风险提示

    中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

声明：

1. 风险提示：以上内容仅来自互联网，文中内容或观点仅作为原作者或者原网站的观点，不代表本站的任何立场，不构成与本站相关的任何投资建议。在作出任何投资决定前，投资者应根据自身情况考虑投资产品相关的风险因素，并于需要时咨询专业投资顾问意见。本站竭力但不能证实上述内容的真实性、准确性和原创性，对此本站不做任何保证和承诺。
2. 本站认真尊重知识产权及您的合法权益，如发现本站内容或相关标识侵犯了您的权益，请您与我们联系删除。