存储芯片行业周度跟踪：SK海力士宣布量产321层NAND闪存 行业SSD／内存条价格趋稳

　　核心观点

    　　NAND：SK 海力士宣布量产321 层NAND 闪存，2025 年上半年开始供应。根据DRAMexchange，上周（1118-1122）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.35%至3.33%，平均涨跌幅为-0.10%。其中17 个料号价格持平，1 个料号价格上涨，4 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道，SK 海力士宣布，开始量产全球最高的321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。此次321 层产品与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。

    　　DRAM: 2024 年三季度DRAM 市场规模环比增加10.4%至258.5 亿美元。根据DRAMexchange，上周（1118-1122）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.61%至0.00%，平均涨跌幅为-0.63%。上周0 个料号呈上涨趋势，17 个料号呈下降趋势，1 个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，2024 年三季度DRAM 市场规模环比增加10.4%至258.5 亿美元。因AI 及服务器需求仍保持一定热度，三星、SK 海力士和美光的DRAM 收入在三季度依然保持环比增长，而其他包括手机、PC 和消费电子产品的需求相对疲软，令南亚科技和华邦电子的DRAM 收入出现减少。

    　　HBM：第六代HBM（HBM4）中或引入无助焊剂键合技术。根据CFM 闪存市场报道，随着高频宽内存（HBM）堆叠层数逐渐增加，存储厂商正尝试无助焊剂DRAM 键合技术，旨在将DRAM 堆叠时的间距最小化。目前HBM 制造商正积极推动在第六代HBM（HBM4）中，引入无助焊剂键合技术。除无助焊剂键合技术外，业界也正在研发混合键合技术，预计最快将应用于HBM4E 产品，2026 年导入量产。在此之前，无助焊剂键合技术预计将先实现商用化。

    　　市场端：行业SSD/内存条价格趋稳。根据CFM 闪存市场报道，本周渠道SSD/内存条价格小幅下跌;近期部分PC 客户追加订单，行业SSD/内存条价格趋稳；继连跌近一个月之后，嵌入式产品报价也暂时维持不变。渠道端内存条持续受低端资源冗余影响，自2024 年4月初以来，价格便一路走跌，部分低容量内存条近半年多跌幅已逾40%，也因此前跌幅过大，相对于SSD，渠道内存条价格降幅空间相对有限，但受制于需求仍然未见明显起色，整体来看渠道行情向下难有改观。

    　　投资建议

    　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

    　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

    　　风险提示

    　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

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