电子行业存储芯片周度跟踪：3Q24NANDFLASH营收季增4.8% 11月存储现货市场普遍维持低位震荡筑底

　　核心观点

    　　NAND：3Q24 NAND Flash 营收季增4.8%，企业级SSD 需求强劲。

    　　根据DRAMexchange，上周（1125-1129）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.41%至1.79%，平均涨跌幅为-0.01%。其中7 个料号价格持平，6 个料号价格上涨，9 个料号价格下跌。根据科创板日报报道，根据TrendForce 集邦咨询最新调查，2024 年第三季NAND Flash 产业出货量位元季减2%，但平均销售单价（ASP）上涨7%，带动产业整体营收达176 亿美元，季增4.8%。TrendForce 集邦咨询表示，不同应用领域的NAND Flash 价格走势在今年第三季出现分化，企业级SSD 需求强劲，推升价格季增近15%，消费级SSD 价格虽有小幅上涨，但订单需求较前一季衰退。

    　　DRAM: 服务器DRAM 及HBM 推升3Q24 DRAM 产业营收季增13.6%。根据DRAMexchange，上周（1125-1129）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.87%至0.90%，平均涨跌幅为-0.46%。

    　　上周4 个料号呈上涨趋势，13 个料号呈下降趋势，1 个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据TrendForce 集邦咨询最新调查，2024年第三季DRAM（内存）产业营收为260.2 亿美元，季增13.6%。受到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM 供应商扩产影响，尽管前三大DRAM 原厂LPDDR4 及DDR4 出货量下降，但供应数据中心的DDR5 及HBM（高带宽内存）需求上升。

    　　HBM：HBM4 考虑采用无助焊剂键合技术。根据CFM 闪存市场报道，随着高频宽内存（HBM）堆叠层数逐渐增加，存储厂商正尝试无助焊剂DRAM 键合技术，旨在将DRAM 堆叠时的间距最小化。目前HBM 制造商正积极推动在第六代HBM（HBM4）中，引入无助焊剂键合技术。

    　　市场端：11 月存储现货市场普遍维持低位震荡筑底。根据CFM 闪存市场报道，近半年来，渠道和行业市场价格持续走跌，尤其是渠道市场多数SSD 和内存条成品价格跌幅已逾20%。在历经连续两个季度持续下跌行情之余，整体来看11 月存储现货市场普遍维持低位震荡筑底的状态。具体来看，行业市场近期PC OEM 释放部分明年Q1 备货需求，但PC 终端客户普遍对后市较为悲观，价格方面要求苛刻，行业存储厂商竞价抢单下令行业内存条缓跌。渠道需求则相对平淡，市场流速较为缓慢，整体价格短暂持平。

    　　投资建议

    　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

    　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

    　　风险提示

    　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

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