存储芯片行业周度跟踪：铠侠和三星预计减产NAND 美国升级对华出口管制

核心观点

    NAND：铠侠和三星预计采取减产措施以保持NAND 供应价格稳定。根据DRAMexchange，上周（1202-1206）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.47%至1.75%，平均涨跌幅为-0.02%。

    其中7 个料号价格持平，6 个料号价格上涨，9 个料号价格下跌。根据科创版日报报道，日本存储大厂铠侠预计下个月开始减少NAND产量。预计三星电子也将采取减产措施来保持NAND 供应价格稳定。

    DRAM: 美国升级对华出口DRAM 的限制。根据DRAMexchange，上周（1202-1206）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.83%至1.59%，平均涨跌幅为-0.81%。上周4 个料号呈上涨趋势，14个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，美国近日升级对中国出口管制，在BIS 发布的具体文件中，对于存储芯片部分更新与增加了对DRAM 的限制，删除此前“18nm 及以下节点”的描述，进一步细化到针对存储单位面积以及存储密度上的管控，阻断中国企业通过更紧凑的存储单元架构以及三维堆叠DRAM的方式来生产更高存储密度更先进的DRAM。

    HBM：美国升级对华出口管制，所有HBM 被列入管制，140 家中国企业被禁。根据CFM 闪存市场，美国商务部工业和安全局（BIS）修订了《出口管理条例》（EAR），限制向中国出口先进高带宽存储器（HBM），并对24 种半导体制造设备和3 种软件工具进行出口管制，包括美国公司在外国工厂生产的设备。

    市场端：存储行情普遍处于磨底期，市场观望氛围正浓。根据闪存市CFM 闪存市场报道，12 月伊始，随着国内电商促销结束、海外圣诞节备货也已完成，存储现货市场活跃度有限，采购需求趋于平淡，存储现货价格普遍相对稳定，市场整体暂无明显变化。由于正值海外感恩节和圣诞节，加之部分存储原厂人事调整还未结束，目前供应端无明显动作；需求端层面，近期，嵌入式市场受益于教育平板和POS机等备货需求起量，存储厂商基于客户低价预期而小幅让利，成交情况尚佳；而行业和渠道市场需求普遍较为消沉，整体来看存储市场基本相对平稳。另外，因深受消费端”寒气“冲击影响，部分PC 终端厂商出现业绩走弱。

    投资建议

    我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

    HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

    风险提示

    中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

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