存储芯片周度跟踪：NAND或将涨价 大容量存储供不应求

　　核心观点

    　　NAND：NAND 晶圆价格持续攀升，未来还将进一步上涨。根据DRAMexchange，上周（20250310-0314）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.00%至5.26%，平均涨跌幅为1.23%。其中5个料号价格持平，17 个料号价格上涨，0 个料号价格下跌。根据科创板日报报道，TrendForce 最新内存现货价格走势报告，NAND Flash方面，上周Wafer 现货市场延续涨价态势，后续Wafer 价格有望持续上涨，512Gb TLC 晶圆现货价格上周上涨2.33%，报2.5 美元。

    　　DRAM：服务器内存消耗已经超过手机，大容量存储供不应求。根据DRAMexchange，上周（20250310-0314）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.20%至4.09%，平均涨跌幅为1.80%。上周17个料号呈上涨趋势，1 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据财联社报道，在MemoryS 2025 存储峰会上，闪存市场总经理邰炜指出，人工智能让存储变得更为的基础、更为的关键，大容量存储需求旺盛，2024 年已经出现供不应求局面。预计2025 年AI 手机渗透率将提升至30%，AI PC 落地更加快速，存储将在智能汽车中发挥重要作用。据统计，HBM 在DRAM 产业占比已经将近30%，而2024 年服务器内存消耗已经超过手机，预计2025 年还会继续增长。

    　　HBM：SK 海力士韩国龙仁半导体集群一期晶圆厂动工，预计2027年竣工。根据科创板日报报道，SK 海力士称，韩国京畿道龙仁半导体集群内的SK 海力士一期晶圆厂正式破土动工。SK 海力士2024 年7 月通过董事会决议，决定投资约9.4 万亿韩元（约合66 亿美元）建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。SK 海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂，一期工厂预计2027 年5 月竣工。

    　　该工厂建成后将成为高带宽存储器（HBM）等新一代DRAM 存储芯片生产基地。

    　　市场端：NAND 原厂或相继涨价。根据CFM 闪存市场报道， NAND原厂闪迪向客户发送涨价函称，闪迪将于2025 年4 月1 日开始涨价超10%，该举措适用于所有面向渠道和消费类产品。美光同样表示将上调渠道经销商拿货价格。近日，根据渠道反馈，长江存储零售品牌致态也将于4 月起面向渠道上调提货价格，幅度或将超过10%。

    　　投资建议

    　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

    　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。

    　　风险提示

    　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。

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