存储芯片周度跟踪：美光或下调10%NAND闪存产能利用率 铠侠宣布已开发出OCTRAM技术
核心观点
NAND：美光下调 10% NAND 闪存产能利用率以应对市场需求放缓。根据DRAMexchange，上周（1223-1227）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.27%至3.17%，平均涨跌幅为0.41%。
其中11 个料号价格持平，9 个料号价格上涨，2 个料号价格下跌。根据IT 之家报道，美光高管确认该企业在闪存市场需求放缓的背景下将其 NAND 晶圆启动率较此前水平下调 10% 并减慢制程节点转移。
美光预计在结束于 2025 年 2 月末的第二财季中，该企业的 NAND 比特出货量将出现显著的环比下降；同时 NAND 负载不足也将影响本财年第二财季的毛利率。
DRAM: 铠侠宣布已开发出OCTRAM 技术。根据DRAMexchange，上周（1216-1220）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.45%至3.12%，平均涨跌幅为-0.10%。上周7 个料号呈上涨趋势，10个料号呈下降趋势，1个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，铠侠宣布已开发出OCTRAM 技术，这是一种新型4F DRAM，由兼具高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术采用InGaZnO（铟镓锌氧化物）晶体管，可将漏电率降低到极低水平，从而降低DRAM 功耗。该技术有望降低各种应用的功耗，例如人工智能、后5G 通信系统和物联网产品。同时也适用于内存级存储（SCM）技术，以及适配高密度和高性能的新型3D NAND FLASH。
HBM：Marvell 推出定制HBM 计算架构，提高XPU 性能、效率和总拥有成本。根据CFM 闪存市场报道，Marvell 宣布推出一种新的定制HBM 计算架构，使XPU 能够实现更高的计算和内存密度，提高其定制XPU 的性能、效率和TCO。Marvell 正与云客户和领先的HBM制造商美光、三星电子和SK 海力士合作，为下一代XPU 定义和开发定制HBM 解决方案。
市场端：行业市场整体表现平稳。根据CFM 闪存市场，渠道市场部分低价资源缺货不断发酵下，带动部分囤货需求逐渐释放，短期出现小部分试涨行情；嵌入式产品也受原厂部分低容量旧制程NAND 资源停产影响导致货源供应紧张，本周低容量eMMC 产品价格继续小幅上扬；而行业市场在PC 大客户订单相对稳定下整体表现平稳。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
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