拓荆科技(688072)：薄膜沉积设备国内领军者 混合键合设备第二成长曲线

　　投资逻辑

    　　薄膜沉积设备国产替代龙头，受益于国内晶圆扩产及工艺升级。薄膜沉积设备是芯片制造三大核心设备之一，先进工艺对薄膜沉积不断提出新的要求，我们测算，2023/2024E/2025E全球薄膜沉积设备市场空间为210.3/216.3/248.1亿美元，中国大陆薄膜沉积设备市场空间为72.7/73.5/84.4亿美元。公司是薄膜沉积设备国产替代龙头，核心产品PECVD快速放量，同时持续丰富设备品类，截至2024H1末，公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD薄膜设备可支持逻辑/存储芯片所需全部介质薄膜材料约100多种工艺应用，行业领先地位显著，有望优先受益于国内晶圆扩产和薄膜沉积设备国产替代。

    　　前瞻布局混合键合设备，开启第二成长曲线。混合键合是无凸点永久键合的高密度互连技术，目前已在CIS、3D NAND等领域实现商业应用，根据Yole预测，HBM4有望开始应用混合键合。公司前瞻布局混合键合设备，晶圆对晶圆键合产品现已实现产业化应用，芯片对晶圆键合表面预处理产品现已通过客户验证。2024年12月2日美国BIS宣布新规，将HBM纳入严格管控，国内HBM有望加速扩产，叠加HBM产品持续迭代，公司混合键合设备成长前景广阔。

    投资建议：我们预计公司2024-2026年收入分别为38.36/51.78/67.75亿元，归母净利润分别为5.56/9.14/13.33亿元，对应EPS分别为2.00/3.29/4.79元，对应PE分别为78X/47X/32X。公司是薄膜沉积设备国产替代龙头，近年积极布局混合键合，打开长期发展空间，维持“买入”评级。

    风险提示：新品研制不及预期；下游客户扩产进度不及预期；行业竞争加剧风险；地缘因素不确定性；市场空间测算偏差风险；研究报告使用的公开资料可能存在信息滞后或更新不及时的风险。

声明：

1. 风险提示：以上内容仅来自互联网，文中内容或观点仅作为原作者或者原网站的观点，不代表本站的任何立场，不构成与本站相关的任何投资建议。在作出任何投资决定前，投资者应根据自身情况考虑投资产品相关的风险因素，并于需要时咨询专业投资顾问意见。本站竭力但不能证实上述内容的真实性、准确性和原创性，对此本站不做任何保证和承诺。
2. 本站认真尊重知识产权及您的合法权益，如发现本站内容或相关标识侵犯了您的权益，请您与我们联系删除。